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[发明专利]通过多面的、偏置的屏蔽的开关器件性能改进-CN201780039566.7在审
发明人： S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：集成RF电路结构还可以包括在与隔离层的第一表面相对的第二表面上的背面金属化。有源器件的本体通过背面金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括利用过孔耦合到背面金属化的正面金属化。正面金属化在背面金属化的远端布置。正面金属化、过孔和背面金属化可以至少部分地包围有源器件。
背面金属化金属化源器件第一表面隔离层偏置第二表面电路结构集成射频开关器件性能改进耦合到屏蔽远端包围

[发明专利]一种电镀金属化电极的制备方法-CN201910958623.2有效
发明人：王钊;杨洁;陈彭;武禄;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种电镀金属化电极的制备方法，包括在待电镀金属化对象的背面制备具有欧姆接触的背面金属化电极；在所述待电镀金属化对象的正面的待制作正面金属化电极的区域开槽去除钝化介质层；对所述开槽位置的损伤进行氢钝化；将所述待电镀金属化对象放入电镀液中，对所述背面金属化电极通电，在正面的开槽内沉积金属，形成正面金属化电极。上述电镀金属化电极的制备方法，能够降低光伏电池金属化用料成本，提高电池片良率，提升光伏电池的转换效率。
一种电镀金属化电极制备方法

[发明专利]集成电路的背面金属化图形-CN201410128780.8在审
发明人：张汉民;贺青春;叶德洪;宗飞 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：具有多个管芯的半导体晶圆具有一部分金属化背面。在晶圆切割之后，多个管芯的每个，在其背面，具有由外围无金属化环围绕的金属化区域。该无金属化环允许更容易地对管芯光学检测，以测定任意由晶圆切割造成的背面破损的程度。该外围无金属化环通过不对邻接晶圆的锯通道的区域金属化而生成。
集成电路背面金属化图形

[发明专利]处理半导体晶圆及生产半导体模块的方法、半导体管芯-CN202211630504.2在审
发明人： C·谢;J·霍格劳尔;T·波尔斯特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种处理半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆的每个管芯位置处形成电子器件；在每个管芯位置处，在半导体晶圆的正面上部分地形成正面金属化部；在每个管芯位置处在半导体晶圆的背面上部分地形成背面金属化部；并且在部分形成正面金属化部和背面金属化部两者但不完成正面金属化部或背面金属化部之后，在管芯位置之间分割半导体晶圆以形成多个单独的半导体管芯，其中，所述部分形成的正面金属化部和所述部分形成的背面金属化部具有相同的成分。
处理半导体生产模块方法管芯

[发明专利]一种局部互联晶硅电池结构及其制备方法-CN202210286237.5在审
发明人：杨飞飞;张波;赵科巍;李雪方;郭丽 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：一种局部互联晶硅电池结构，包括从下而上的背面金属化图案、激光烧蚀穿透结构、正面金属化图案，背面金属化图案和正面金属化图案都被分割成同等数量且对应的独立区块金属化图案，任意一个背面独立区块图案与该背面独立区块图案相邻的一个背面独立区块图案对应的正面独立区块图案通过激光烧蚀穿透结构连接构成互联区块，多个互联区块通过互联图案构成两个独立区块金属化图案数量相同的串联的图案作为晶硅电池的正负极输出。
一种局部互联晶硅电池结构及其制备方法

[发明专利]芯片低接触电阻背面金属化工艺方法以及结构-CN200810121915.2无效
发明人：王平;王英杰;韩飞;范伟宏 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。所述的背面金属化的金属可以为：钛、镍、银；其中所述的金属钛还可以用钒或铬代替；所述的银还可以用金代替，或者在银上加金。同时本发明还提供了一种芯片低接触电阻背面金属化工艺方法，本发明提供的芯片低接触电阻背面金属化工艺方法简便，可以有效降低产品的碎片等异常，提高作业效率，降低生产成本，同时本发明提供的一种芯片低接触电阻背面金属化结构采用砷合金材料
芯片接触电阻背面金属化工艺方法以及结构

[发明专利]芯片背面金属化方法-CN202310758432.8在审
发明人：谢旭岩;李耀 -专利权人：南京睿芯峰电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片背面金属化方法，包括提供初始复合支撑层；初始复合支撑层包括防护层和单面胶膜；对初始复合支撑层中的防护层进行开窗，形成具有芯片放置区的目标复合支撑层；提供待金属化芯片，将待金属化芯片贴合在芯片放置区上，得到第一芯片复合结构；分别提供双面胶膜和硅载体；利用双面胶膜，对硅载体和第一芯片复合结构进行粘接，并撕离第一芯片复合结构中的单面胶膜，得到第二芯片复合结构；对第二芯片复合结构进行背面金属化处理，得到金属化芯片本发明能将需要背面金属化的芯片单独挑出并进行背面金属化来满足实际封装要求，无需整个晶圆直接进行背面金属化，不会造成材料的浪费，成本低，能适应不同芯片封装要求的集成电路。
芯片背面金属化方法

[发明专利]MPW芯片背面金属化方法-CN201510402167.5有效
发明人：李云海;李宗亚 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及一种MPW芯片背面金属化方法，其包括如下步骤步骤1、对第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块；步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块的芯片置位格内；步骤3、对所述第二陪片进行所需的切割与挑片，以在第二陪片内形成用于芯片置位支撑块嵌置的支撑块置位格；步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块放置在第二陪片的支撑块置位格内，以形成第三陪片体；步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作本发明适用于各种尺寸及规格的芯片背面金属化方法，可以很好地保护芯片正面并实现芯片的无损伤固定，达到对芯片进行背面金属化的目的。
mpw 芯片背面金属化方法

[发明专利]用于制造电子构件的方法以及按照所述方法制造的电子构件-CN201080059283.7有效
发明人：冈特·琼森;赫尔曼·斯蒂格劳尔 -专利权人：联合单片半导体有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：对于具有GaAs半导体衬底（HS）的电子构件，在该GaAs半导体衬底的正面上构造有半导体器件（BE），并且在该GaAs半导体衬底的背面设有多层的背面金属化部（RM），提出了背面金属化部的层序列的一种有利构造，尤其是背面金属化部具有Au层作为粘附层。
用于制造电子构件方法以及按照

[实用新型]太阳能电池-CN202223407736.X有效
发明人：叶晓亚;邓伟伟;王栩生 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池,包括P型硅片，所述硅片的正面具有金属化区域、非金属化区域；所述太阳能电池还包括：依次设置于所述金属化区域正面的隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层、正面金属电极；依次设置于所述非金属化区域正面的轻掺杂发射极、正面钝化层、正面减反层；依次设置于所述硅片背面的背面钝化层、背面减反层、背面金属电极。本实用新型打破以往P型PERC电池的SE传统结构，不在所述金属化区域形成重掺杂，极大的减少正面对光的吸收，而是在正面的金属化区域引入隧穿钝化结构，可以有效降低金属电极下方的复合，大幅提高电池的开路电压和填充因子
太阳能电池

[发明专利]HJT电池背面金属化浆料组合物、HJT电池背面金属化浆料及HJT电池-CN202310686162.4在审
发明人：匡丽君;张洪旺 -专利权人：无锡帝科电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种HJT电池背面金属化浆料组合物、HJT电池背面金属化浆料及HJT电池。该HJT电池背面金属化浆料组合物包括90～95份的金属粉体、0.5～10份的有机载体以及0.5～5份的溶剂；其中，金属粉体包括银粉和银包铜粉，银粉包括第一银粉与第二银粉，第一银粉的D90粒径≥第二银粉的本申请针对HJT电池背面金属化的特点，开发出尤其适合大开口HJT电池背面网版下印刷的高导电率的浆料，提升了短路电流。银粉和银包铜粉的搭配使用有助于提高HJT电池背面金属化浆料的导电率，从而有助于兼顾HJT电池的光电转化效率和低金属化成。
hjt 电池背面金属化浆料组合

[发明专利]一种局域掺杂的太阳能电池及其制备方法-CN201910494669.3在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;连维飞;胡党平;霍亭亭;李赛红 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域掺杂的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)掺杂浆料预置与烘干：在将要开膜的位置预置掺杂浆料，掺杂浆料与硅基层接触，并进行烘干；2)硅基层背面沉积介质钝化膜层；3)激光消融，利用激光对硅基层背面金属化区域的介质钝化膜层进行消融，位置与步骤1)中预置掺杂浆料位置相同；4)金属化：通过金属化工艺实现金属电极的制备；本发明提出了一种局域掺杂的太阳能电池及其制备方法，在背面介质钝化膜层沉积前，背面金属化区域预置掺杂浆料，对介质钝化膜层进行激光消融时，利用激光的能量将预置掺杂浆料推进进入到硅基层内，实现了金属化区域重掺杂与深度，并降低硅基层背面金属化区域的复合电流，实现了规模化量产。
浆料硅基层掺杂介质钝化预置制备背面金属化太阳能电池掺杂的膜层激光消融烘干背面激光金属化工艺金属化区域复合电流金属电极膜层沉积区域预置规模化金属化重掺杂量产沉积消融

[发明专利]一种在太阳能电池背面进行选择性金属化的方法-CN201510138031.8在审
发明人：王伟 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在太阳能电池背面进行选择性金属化的方法，包括硅片1预处理；硅片1硼扩散处理；去除背面BSG、抛光；对硅片进行磷扩散处理；正、背面减反钝化膜沉积；正面金属化；背面金属接触区开膜；背面金属接触区域电镀金属A；背面非金属接触区域蒸镀金属B等步骤，它解决现有技术中在太阳能电池背面进行选择性金属化工艺复杂，生产成本高的技术问题。
一种太阳能电池背面进行选择性金属化方法

[发明专利]太阳能电池单体及其制造方法-CN200980121820.3有效
发明人： D·比罗;F·克莱芒;O·舒尔茨-维特曼 -专利权人：弗朗霍夫应用科学研究促进协会
申请日： 2009-05-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池单体，其包括具有正面和基本与正面平行的背面的半导体基板、正面金属化结构和背面金属化结构以及至少三个掺杂区域，该掺杂区域具有至少两种不同的导电型，第一导电型的、基本在整个正面上延伸的第一掺杂区域布置在半导体基板的正面上，与第一导电型相反的第二导电型的、部分在背面上延伸的第二掺杂区域布置在半导体基板的背面上，第一导电型的、部分在背面上延伸的第三掺杂区域布置在半导体基板的背面上，其中正面金属化结构与第一掺杂区域导电地连接，背面金属化结构与第二掺杂区域导电地连接，太阳能电池单体具有导电的连接装置，该连接装置导电地连接第三掺杂区域与正面金属化结构和/或第一掺杂区域。
太阳能电池单体及其制造方法

[发明专利]一种改善减薄片背面表观质量的方法-CN201310750925.3在审
发明人：张海欧 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善减薄片表观质量的方法，包括正面贴膜、背面减薄、背面腐蚀硅、去膜、背面清洗、背面金属化的步骤，分别在背面腐蚀硅工艺中及背面金属化前的二氧化硅去除工艺中采用腐蚀液对减薄片进行腐蚀；背面腐蚀硅工艺中腐蚀液的各组分按体积比为氢氟酸∶硝酸∶冰乙酸=1∶7∶7；背面金属化前二氧化硅去除工艺中腐蚀液的各组分按体积比为BOE∶C2H6O2=1∶1.5。经本发明方法处理的晶圆，在后续完成背面金属化工艺后，其背面金属层不会出现卷曲、翘曲等现象，也不会出现由于背面金属层剥落而引起的半导体器件可靠性失效现象。同时，其表观状况明显优于其他清洗方式处理的晶圆。
一种改善薄片背面表观质量方法

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